用两次键合技术制备均匀单晶硅膜

硅直接键合(SDB)技术用于制备SOI片(BESOI)是键合技术的最重要应用之一,研究了制备BESOI片中的键合和减薄问题,获得了大面积的均匀单晶硅膜,通过实验分析了这种方法获得的薄膜的平整度和影响因素。并针对压力传感器的敏感膜,通过两次键合及SOI自停止腐蚀成功制备了厚度可控的均匀单晶硅薄膜,硅膜表面质量优良,平整度在±0.15μm的范围内。     

单电子晶体管I-V特性数学建模

基于正统单电子理论，提出了单电子晶体管的I-V特性数学模型。该模型的优点是：它由实际物理参数直接获得；支持双栅极工作，更利于逻辑电路应用。I-V特性和跨导仿真结果证实了它的准确性。     

线光栅扫描实现衍射图形的矢量化直写

在双光束激光直写系统中,衍射光变图像的光刻是逐像素点进行的.本文提出在该系统中采用狭缝获得光栅线来进行衍射图形的直写,利用一种改进的矢量文件格式,使平台沿着垂直光栅线的方向运动,获得连续的多光点同时直写,直写后的衍射光栅线是连续的,系统的运行效率是逐点光刻的几十倍.编写了与DXF文件的接口直写控制程序,给出了实验结果.     

土石过水围堰过水期最不利工况及其流量确定

本文系统分析了影响土石过水围堰溢流工况的主要因素，提出衡量最不利工况的指标和确定员不利流量的方法，为土石过水围堰堰体下游护坡结构及消能防冲设施设计提供了理论依据。通过理论计算结果与模型试验现场观测资料数据对比分析，说明提出的过水期最不利流量判别方法是符合实际情况的。     

THE STATISTICAL DISTRIBUTION OF EXTREME VALUES OF WAVE-CURRENT FORCES ACTING ON SLENDER CIRCULAR CYLINDER IN IRREGULAR WAVES

Based on model test,the statistical distribution of extreme values of wave-current in-line forces acting on vertical circular cylinder is analyzed in this paper.It is shownthat the results calculated by the simplified method,proposed by authors,agree well with the testdata;Weibull distribution is also adoptable in the region of high KC number, and the shapeparameter a and scale parameter β are related well with KC number respectively.     

DIRECT RESONANCE OF TURBULENT BOUNDARY LAVER OVER COMPLIANT WALLS

１．　ＩＮＴＲＯＤＵＣＴＩＯＮＴｈｅｍａｉｎｇｏａｌｏｆｔｈｉｓｐａｐｅｒｉｓｔｏｅｘｐｌｏｒｅｔｈｅｐｏｓｓｉｂｉｌｉｔｙｔｏｌｅａｒｎｍｏｒｅａｂｏｕｔｔｈｅｍｅｃｈａｎｉｓｍｏｆｔｕｒｂｕｌｅｎｔｂｏｕｎｄａｒｙｌａｙｅｒｆｌｏｗｉｎｔｅｒａｃｔｉｏｎｓａｎｄｉｔｓｅｆｆｅｃｔｓｏｎｃｏｍｐｌｉａｎｔｗａｌｌｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ．Ｔｈｅｒｅａｒｅｃｅｒｔａｉｎｐｒｅｒｅｑｕｉｓｉｔｅｃｏｎｄｉｔｉｏｎｓｔｏｆｕｒｔｈｅｒｔｈｅｓｔｕｄｙｏｎｔｈｅｍｅｃｈａｎｉｓｍ，ｉ．ｅ．ｔｈｅｃｏ…     

直接驱动机器人单关节控制系统的研究

本文研究以ＰＷＭ装置供电的直流电动机驱动的直接驱动机器人单关节控制系统。用８０９８单片机实现模控制结构控制器，使系统在各种工况下有良好的性能。文１研究了机器人单关节电机驱动的控制问题。采用该法可减少受系统参数和负载力矩变化的影响，本文用模控制结构方法来处理问题。理论分析和实验均证明，所用方法具有很强的鲁棒性。系统参数在１００倍范围内变化时，系统都有很好的品质。     

两相异步电动机变频调速装置

主要讨论对称两相变频器主电路的结构以及介绍一种简单实用的磁链轨迹控制技术．     

Fastmet工艺评述

介绍了Ｆａｓｔｍｅｔ工艺及发展状况，并对工艺特点和指标进行了分析。使用冷固结含碳球团和转底炉使该工艺可直接采用粉矿和提高生产效率，但因硫含量高、铁品位低而产品质量较差。不过投资和生产成本与传统工艺比较却占有较大优势。     

点阴极电场辅助阳极连接中的紧密接触面积和电流

用等效电路的方法研究了点阴极情况下的电场辅助阳极连接效应，计算了连接电流，连接孕育期和紧密接触面积，本文结果表明，连接初期电流迅速衰减，随后缓慢变小，直至某一稳定值，孕育期随温度上升指数下降，连接温度高时，孕育期将难以观察到；待连接表面之间紧密接触面积随时间延长而非线性扩展，紧密接触区域增大时，其边界向外推进速度渐小，而接触面积增加渐快。